Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Обозначение:
ГОСТ 20859.1-89
Статус:
действующий
Название рус.:
Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Название англ.:
Power semiconductor devices. General technical requirements
Дата актуализации текста:
01.01.2009
Дата актуализации описания:
01.12.2008
Дата введения в действие:
01.01.1990
Область и условия применения:
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:
1) в средах с токопроводящей пылью;
2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
3) во взрывоопасной среде;
4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
Взамен:
ГОСТ 20859.1-79
Заменяющий в части:
ГОСТ 30617-98 в части модулей
Внимание! Запрошенный документ есть в базе и будет доступен к просмотру и сохранению немедленно после регистрации. Регистрация платная - 3$ (единоразово, в валюте страны плательщика). Способ регистрации - мгновенный с помощью SMS.